本標(biāo)準(zhǔn)適用于組件最大致冷功率及致冷功率的測試。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于組件失效率試驗。不同組件的失效率要求應(yīng)在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。

本規(guī)范規(guī)定了TEＳ1—0l2l2TT溫差電致冷組件(以下簡稱組件)的技木要求、檢驗方法、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸及貯存。本規(guī)范適用于軍用組件TEＳ1—l2l2TT。

本規(guī)范規(guī)定了軍用徽晶玻璃基片的分類、型號命名、規(guī)格、技木要求、測試方法、檢驗細(xì)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存及基片微晶玻璃的理化性能與測試方法。本規(guī)范適用于軍用薄膜集成電路用微晶玻璃基片。

本規(guī)范規(guī)定了電子器件用鎢絲的要求，質(zhì)量保證規(guī)定，交貨準(zhǔn)備。

本規(guī)范規(guī)定了電子器件用鉬桿、鉬絲、鉬片的要求、質(zhì)量保證規(guī)定、交貨準(zhǔn)備。本規(guī)范適用于制造電子管及特種燈等用途的鉬桿、鉬絲、鉬片：也適用于制造電光源及其他器件的鉬桿、鉬絲、鉬片。

本規(guī)范規(guī)定了軍用覆鉑鉬絲的要求、質(zhì)量保證規(guī)定、檢驗方法及交貨準(zhǔn)備。本規(guī)范適用于覆鉑鋁絲材料。

本規(guī)范規(guī)定了銀電鍍層的各項撅求。本規(guī)范適用于電子和電氣等產(chǎn)品用的金屬和非金屬制件上銀電鍍層。

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用x射線熒光光譜法測量銀和銀合金鍍覆層厚度的方法。它是’一種非接觸式的無損測量方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于銀和銀合金鍍覆層厚度的測量，也適用于常用金屬鍍覆層厚度的測量。該方法還可同時測量出表面鍍覆層和中間層的厚度。

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了銀和銀合金電鍍層的殘留鹽分測定方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于銀和銀合金電鍍層的金屬和非金屬試件。

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了軍用雷達(dá)雙色指示管用Yl9熒光粉的技木要求和檢測方法.本標(biāo)準(zhǔn)適用于檢測制作軍用雷達(dá)雙色指示管用Yl9熒光粉。

本規(guī)范規(guī)定了電容器用鋁金屬化聚酯薄膜的分類、術(shù)語和有留邊的電容器用鋁金屬化聚酯薄膜的技木要求及檢測方法。本規(guī)范適用于軍用電容器用鋁金屬化聚釀薄膜，其他電容器用鋁金屬函聚釀薄膜也可參考使用.

本規(guī)范規(guī)定了電容器用鋁金屬化聚丙烯薄膜的分類，術(shù)玉器和有留邊的電容器用鋁金屬化聚丙烯薄膜的技木要求及檢測方法。本規(guī)范適用于軍用電容器用鋁金屬化聚丙烯薄膜，其他電這容器用鋁金屬化聚丙烯薄膜也可參考使用。

本規(guī)范規(guī)定了電子器件用鎳帶的要求， 質(zhì)量保證規(guī)定和交貨準(zhǔn)備等。本規(guī)范適用于電子器件用鎳帶。

本規(guī)范規(guī)定了電子器件用鎳棒、鎳絲的要求，質(zhì)量保證規(guī)定和交貨準(zhǔn)備。本規(guī)范適用于電子器件用鎳棒、鎳絲。

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了設(shè)計生產(chǎn)的設(shè)備在電源時序和控制方面能兼容的電源控制接口，其中包括電源控制接n線和可選的緊急斷電特儉的定義和描述.本標(biāo)準(zhǔn)適用于軍用計算機(jī)與外圍設(shè)備.

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了信息技木設(shè)備靜電放電敏感度極限值和試驗方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于在一般工作環(huán)境中工作的信息技木設(shè)備。

本規(guī)范規(guī)定更對射頻(RF)輻射吸收體(微波吸收材料)的要求，質(zhì)量保證，交貨準(zhǔn)備。微波吸收材料在以下簡稱為RAＭ。本規(guī)范適用于電子行業(yè)制造和使用的微波吸收材料。

本指導(dǎo)性技木文件規(guī)定了抑制電源傳導(dǎo)干擾和輻射干擾的方法。本指導(dǎo)性技木文件適用于電源的電磁兼容性設(shè)計，旨在降低電源的傳導(dǎo)和輻射干擾。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購。?

本標(biāo)準(zhǔn)適用適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購。?

本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購。

本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購。

本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購。

本規(guī)范規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路JT54LS283型LS-TTL4位二進(jìn)制超前進(jìn)位全加器（以下簡稱器件)的詳細(xì)要求。

本規(guī)范規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路Jμ8086型微處理器（以下簡稱器件）的詳細(xì)要求。

本規(guī)范規(guī)定了探測劑量率為0.02~0.12cGy/h的Y射線及100~1800脫變數(shù)/分·厘米的β射線計數(shù)管（簡稱計數(shù)管）的詳細(xì)要求。

本規(guī)范規(guī)定了SF—1213型硫化銻視象管的詳細(xì)要求。

本規(guī)范規(guī)定了3DK12B~F型功率開關(guān)晶體管的詳細(xì)要求。每種器件均按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

本規(guī)范規(guī)定了3DK36B~H型功率開關(guān)晶體管的詳細(xì)要求。每種器件均按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。