本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了軍用電子設(shè)備（以下簡(jiǎn)稱設(shè)備）結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與制造的總要求。本標(biāo)準(zhǔn)還規(guī)定了設(shè)備的零件、器材和制造工藝及應(yīng)用程序等要求。本標(biāo)準(zhǔn)適用于軍用電子設(shè)備及相應(yīng)的配套設(shè)備和備件。對(duì)于具體設(shè)備的特殊要求，應(yīng)在具體設(shè)備的標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。

本規(guī)范規(guī)定了3DK10l型NPN硅小功率開(kāi)關(guān)晶體管(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求。每種器件按ＧＪB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定T3DKl02型NPN硅小功率開(kāi)關(guān)晶體管（以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求。每種器件按GＪB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了3DK1O3型NPN硅小功率開(kāi)關(guān)品障管(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求。每種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了3Dk104型NPＮ硅小功率開(kāi)關(guān)晶體管(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求;每種器件按ＧＪB33《半導(dǎo)體分立器件息規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三企等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了3DK105型NPN硅小功率開(kāi)關(guān)晶體管(以下簡(jiǎn)稱器件）的詳細(xì)要求。每種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了３DG111型NPN硅高頻小功率晶體管(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求。該種器件按GＪB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了3DG120型NPN硅高頻小功率晶體管(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求.該種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了CS146型硅Ｎ溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求，該種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了3DG210型NPN硅超高頻低噪聲差對(duì)晶體管（以下簡(jiǎn)稱器件）的詳細(xì)要求，該種器件按ＧＪB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了電源設(shè)備用的ＱL72型硅三相橋式整流器(以下筒稱器件)的詳細(xì)要求.該種器件按GD33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的兩個(gè)等級(jí)(GP和GT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了2CL3型硅高壓整流堆(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求.該種器件按ＧＪＢ３３《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的兩個(gè)等級(jí)（GP和GT級(jí))。

本規(guī)范規(guī)定了2CZ30型硅整流二極管（以下簡(jiǎn)稱器件）的詳細(xì)要求.該種看件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT囊).

本規(guī)范規(guī)定了2DWl4~l8型低噪聲低硅電壓基準(zhǔn)二極管（以下簡(jiǎn)稱器件）的詳細(xì)要求，該種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和ＧｃＴ）.

本規(guī)范規(guī)定了2CK76型硅開(kāi)關(guān)二極管(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求，該種器件按GＪB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了2CK105型硅開(kāi)關(guān)二極管(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求，該種器件按GＪB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)(GP、GT和GCT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了2CK4l48型硅開(kāi)關(guān)二極管(以下簡(jiǎn)稱器件)的詳細(xì)要求，該種器件按GJB33《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三個(gè)等級(jí)（GP、GT和GCT級(jí)）。

本規(guī)范規(guī)定了陶瓷封裝的GH24、GH2s和GH26型半導(dǎo)體光耦合器詳細(xì)要求。該種器件按GJB3《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定，提供產(chǎn)品保證的三企等級(jí)(GP、ＧＴ和GCT級(jí)).

本規(guī)范規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路Jμ8254型可編程定時(shí)計(jì)數(shù)器（以下簡(jiǎn)稱器件）的詳細(xì)要求。 本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。

本規(guī)范規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路Jμ8259A型可編程中斷控制器（以下簡(jiǎn)稱器件）的詳細(xì)要求。 本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。

本規(guī)范規(guī)定了半導(dǎo)體集成電路Jμ82288A型可編程外設(shè)接口（以下簡(jiǎn)稱器件）的詳細(xì)要求。 本規(guī)范適用于器件的研制、生產(chǎn)和采購(gòu)。

本標(biāo)準(zhǔn)提供了微電路應(yīng)用的熱設(shè)計(jì)要求、方法和熱性能評(píng)價(jià)。本標(biāo)準(zhǔn)適用于微電路應(yīng)用的熱設(shè)計(jì)。

本規(guī)范規(guī)定了軍用液晶顯示器件（以下簡(jiǎn)稱顯示器件）的一般要求，具體要求和特性在相應(yīng)軍用詳細(xì)規(guī)范(以下簡(jiǎn)稱詳細(xì)規(guī)范)中規(guī)定。

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了軍用金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏件的環(huán)境試驗(yàn)方法、電負(fù)荷試驗(yàn)方法和其它試驗(yàn)方法。本標(biāo)準(zhǔn)沒(méi)有規(guī)定試驗(yàn)中的檢測(cè)項(xiàng)目、檢測(cè)方法及其技木細(xì)節(jié)，檢測(cè)時(shí)可按相應(yīng)技木規(guī)范的規(guī)定進(jìn)行。本標(biāo)準(zhǔn)適用于軍事裝備用金屬氧化物半導(dǎo)體氣敏件（以下簡(jiǎn)稱件或試樣)的環(huán)境試驗(yàn)，其它類型的…

本規(guī)范規(guī)定了RMK20l2型有可靠性指標(biāo)的膜式片狀固定電阻器的詳細(xì)要求。本規(guī)范適用于RＭK20l2型有可靠性指標(biāo)的膜式片狀固定電阻器，該型號(hào)的電阻器對(duì)特性N、Ｍ、L和J，阻值允許偏差+0.l％、+0.5％、+l％、+2％、+5％和+10％，以及除引出端之外的全部引出端材料均適用。

木詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了有可靠性指標(biāo)的CBBK24型(非金屬殼)雙面金屬化聚丙烯膜介質(zhì)直流固定電容器的結(jié)構(gòu)、外形尺寸、額定值、要求和質(zhì)量保證規(guī)定。本詳細(xì)規(guī)范適用于有可靠性指標(biāo)的采用雙面鋁金屬化層為電極，聚丙烯膜介質(zhì)，封裝在阻燃塑料外殼內(nèi)的固定電容器，此電容器能承受較大電流?！?/div>