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用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管(HEMT)動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法

標 準 號： T/CASAS 034-2024
替代情況：
發(fā)布單位： 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
起草單位： 浙江大學(xué)、浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心、廣東工業(yè)大學(xué)、工業(yè)和信息化部電 子第五研究所 等
發(fā)布日期： 2024-09-30
實施日期： 2024-09-30
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更新日期： 2025年05月14日
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內(nèi)容摘要

本文件描述了用于零電壓軟開通電路的氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法。


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