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半導(dǎo)體晶片表面金屬沾污的測(cè)定 全反射X射線熒光光譜法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 24578-2024
發(fā)布單位: 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司、廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司、江蘇華興激光科技有限公司等
發(fā)布日期: 2024-07-24
實(shí)施日期: 2025-02-01
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更新日期: 2025年08月25日
內(nèi)容摘要

本文件適用于硅、絕緣襯底上的硅(SOI)、鍺、碳化硅、藍(lán)寶石、砷化鎵、磷化銦、銻化鎵等單晶拋光片或外延片表面金屬沾污的測(cè)定,尤其適用于晶片清洗后自然氧化層或經(jīng)化學(xué)方法生長(zhǎng)的氧化層中沾污元素面密度的測(cè)定,測(cè)定范圍:109 atoms/cm2~1 015 atoms/cm2。
本文件規(guī)定的方法能夠檢測(cè)周期表中原子序數(shù)16(S)~92(U)的元素,尤其適用于鉀、鈣、鈦、釩、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅、砷、鉬、鈀、銀、錫、鉭、鎢、鉑、金、汞和鉛等金屬元素。

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