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半導(dǎo)體分立器件 ＧＰ、ＧＴ和ＧＣＴ級ＣＳ１型硅Ｎ溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管詳細(xì)規(guī)范

標(biāo) 準(zhǔn) 號： SJ 20011-1992
替代情況：
發(fā)布單位： 中國電子工業(yè)總公司
起草單位： 中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布日期： 1992-02-01
實(shí)施日期： 1992-05-01
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更新日期： 2025年07月21日
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內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了CS1型硅溝道結(jié)型場效應(yīng)晶體管（以下簡稱器件）的詳細(xì)要求該種器件按GJB33-85《半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定提供產(chǎn)品保證的三個等級（GP、GT和GCT級）。

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