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半導體分立器件 GP、GT和GCT級3DG182型NPN硅小功率高反壓晶體管詳細規(guī)范

標 準 號: SJ 20016-1992
替代情況:
發(fā)布單位: 中國電子工業(yè)總公司
起草單位: 中國電子技術(shù)標準化研究所和國營八二三一廠
發(fā)布日期: 1992-02-01
實施日期: 1992-05-01
點 擊 數(shù):
更新日期: 2025年07月21日
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內(nèi)容摘要

本規(guī)范規(guī)定了3DG130型NPN硅高頻小功率晶體管(以下簡稱器件)的詳細要求。該種器件按GJB33-85《半導體分立器件總規(guī)范》的規(guī)定,提供產(chǎn)品保證的三個等級(GP、GT和GCT級)。

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