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IC用大直徑薄硅片的氧、碳含量微區(qū)試驗方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號： SJ 20636-1997
替代情況：
發(fā)布單位： 電子工業(yè)部
起草單位： 中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布日期： 1997-06-17
實施日期： 1997-10-01
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更新日期： 2025年05月06日
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本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了厚度為0.3-2.0mm的硅晶片中間隙氧含量微區(qū)徑向分布和替位碳含量微區(qū)測量方法。

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