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紅外探測(cè)器用銻化銦單晶片規(guī)范

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào)： SJ 20640-1997
替代情況：
發(fā)布單位： 電子工業(yè)部
起草單位： 中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究所
發(fā)布日期： 1997-06-17
實(shí)施日期： 1997-10-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2025年05月06日
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內(nèi)容摘要

本規(guī)范規(guī)定了軍用光伏型紅外探測(cè)器用銻化銦單晶片的要求、質(zhì)量保證規(guī)定、交貨準(zhǔn)備及有關(guān)規(guī)則。

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