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III族氮化物半導體材料中位錯成像的測試 透射電子顯微鏡法
標 準 號:
GB/T 44558-2024
替代情況:
發(fā)布單位:
國家市場監(jiān)督管理總局 國家標準化管理委員會
起草單位:
東莞市中鎵半導體科技有限公司、TCL環(huán)鑫半導體(天津)有限公司、蘇州大學等
發(fā)布日期:
2024-09-29
實施日期:
2025-04-01
點 擊 數(shù):
更新日期:
2025年08月21日
內(nèi)容摘要
本文件描述了用透射電子顯微鏡測試Ⅲ族氮化物半導體材料中位錯成像的方法。本文件適用于六方晶系Ⅲ族氮化物半導體的薄膜或體單晶中位錯成像的測試。
上一篇:
鋼鐵行業(yè)蓄熱式工業(yè)爐窯熱平衡測試與計算…
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Tag:
安全標準
.
半導體
.
氮化物
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