本標(biāo)準(zhǔn)是對(duì)GB/T17473—1998《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法》(所有部分)的整合修
訂,分為7個(gè)部分,本部分為GB/T17473—2008的第4部分。本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料中附著力的測(cè)定方法。本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料附著力的測(cè)定。本部分代替GB/T17473.4—1998《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 附著力測(cè)定》。
本部分與GB/T17473.4—1998相比,主要有如下變動(dòng):
———將原標(biāo)準(zhǔn)名稱修改為:微電子技術(shù)用貴金屬漿料測(cè)試方法 附著力測(cè)定;
———將原標(biāo)準(zhǔn)中去除“非貴金屬電子漿料附著力測(cè)定也可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行”內(nèi)容;
———增加了SnAg3.0Cu0.5焊料用于無(wú)鉛導(dǎo)體焊接;
———用隧道燒結(jié)爐取代原標(biāo)準(zhǔn)中的帶式爐;
———增加了無(wú)鉛焊料的溫度控制。