本標準代替ＧＢ／Ｔ１７４７３—１９９８ 《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法》（所有部分），本標準分
為７個部分,本部分為ＧＢ／Ｔ１７４７３—２００８的第６部分。 本部分規(guī)定了微電子技術(shù)用貴金屬漿料分辨率的測定方法。
本部分適用于微電子技術(shù)用貴金屬漿料的分辨率測定。 本部分代替ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８ 《厚膜微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法　分辨率測定》。
本部分與ＧＢ／Ｔ１７４７３．６—１９９８相比，主要有如下變動：
———將原標準名稱修改為微電子技術(shù)用貴金屬漿料測試方法　分辨率測定；
———增加了固化型貴金屬漿料分辨率測定的內(nèi)容；
———原“光刻膜絲網(wǎng)網(wǎng)徑２０２５μｍ 不銹鋼絲網(wǎng)”改為“光刻膜絲網(wǎng)，絲網(wǎng)孔徑不大于５４μｍ”；
———增加６．３將印有固化型的試樣按其規(guī)定的工藝要求進行靜置、烘干、固化，固化后試樣膜厚控制在１μｍ～１５μｍ；
———分辨率規(guī)格分級重新定義為０．１ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍ、０．４ｍｍ、０．５ｍｍ 五個級別。