本標準規(guī)定了非本征半導體材料中少數(shù)載流子擴散長度的測試方法，包含穩(wěn)態(tài)光電壓法、恒定光通量法和數(shù)字示波器記錄法。
本標準適用于非本征半導體材料，如硅單晶片或相同導電類型重摻襯底上沉積的、已知電阻率的同質(zhì)外延層中的少數(shù)載流子擴散長度的測試，測試樣品（外延層）的厚度大于擴散長度的4倍。本標準可測試樣品的電阻率和載流子壽命的極限尚未確定，但已對電阻率0.1Ω·cm～50Ω·cm、載流子壽命短至2ns的P型和N型硅樣品進行了測試。本標準還可通過測試擴散長度后計算出硅中的鐵含量。
本標準也可用于測試其他半導體材料，如砷化鎵樣品（需同時調(diào)整相應的光照波長（能量）范圍和樣品制備工藝）等的有效擴散長度，評價晶粒間界垂直于表面的多晶硅樣品中的有效擴散長度，還可用于測試硅片潔凈區(qū)寬度，以及太陽能電池和其他光學器件的有效擴散長度。