非本征半導體中少數(shù)載流子擴散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法【作廢】

[ 注：本標準已廢止，請搜索最新標準 ]

標準號： YS/T 679-2008

替代情況：被 YS/T 679-2018 替代

發(fā)布單位：國家發(fā)展和改革委員會

起草單位：有研半導體材料股份有限公司

發(fā)布日期： 2008-03-12

實施日期： 2008-09-01

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更新日期： 2018年03月23日

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內(nèi)容摘要

本標準適用于非本征單晶半導體材料樣品或相同導電類型重摻襯底上沉積已知電阻率的同質(zhì)外延層中的少數(shù)載流子擴散長度的測量。要求樣品或外延層厚度大于4倍的擴散長度。本標準修改采用SEMI MF 391-1106《非本征半導體中少數(shù)載流子擴散長度的穩(wěn)態(tài)表面光電壓測試方法》。
本標準與SEMI MF 391-1106相比主要有如下變化：
———標準格式按GB/T 1.1要求編排；
———將SEMI MF 391-1106中的部分注轉(zhuǎn)換為正文；
———將SEMI MF 391-1106中部分內(nèi)容進行了編排。