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硅外延層厚度測(cè)定 堆垛層錯(cuò)尺寸法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): YS/T 23-2016
替代情況: 替代 YS/T 23-1992
發(fā)布單位: 中華人民共和國(guó)工業(yè)和信息化部
起草單位: 南京國(guó)盛電子有限公司
發(fā)布日期: 2016-04-05
實(shí)施日期: 2016-09-01
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更新日期: 2017年12月26日
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內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用堆垛層錯(cuò)尺寸法測(cè)量硅外延層厚度的方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于在<111>、<100>和<110>晶向的硅單晶襯底上生長(zhǎng)的2μm~120μm硅外延層厚度的測(cè)量。

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