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半導(dǎo)體晶片近邊緣幾何形態(tài)評價 第1部分：高度徑向二階導(dǎo)數(shù)法（ZDD）

標(biāo) 準(zhǔn) 號： GB/T 43894.1-2024
替代情況：
發(fā)布單位： 國家市場監(jiān)督管理總局 國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
起草單位： 山東有研半導(dǎo)體材料有限公司、浙江麗水中欣晶圓半導(dǎo)體科技有限公司
發(fā)布日期： 2024-04-25
實(shí)施日期： 2024-11-01
點(diǎn) 擊 數(shù)：
更新日期： 2024年06月05日
內(nèi)容摘要

本文件描述了一系列高度徑向二階導(dǎo)數(shù)法(ZDD)評價半導(dǎo)體晶片的近邊緣幾何形態(tài)的方法。


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