GB/T 4937的本部分是為了測定半導體器件在中子環(huán)境中性能退化的敏感性。本部分適用于集成電路和半導體分立器件。中子輻照主要針對軍事或空間相關的應用，是一種破壞性試驗。
試驗目的如下：
a）〓檢測和測量半導體器件關鍵參數的退化與中子注量的關系；
b）〓確定規(guī)定的半導體器件參數在接受規(guī)定水平的中子注量輻射之后是否在規(guī)定的極限值之內（見第4章）。