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發(fā)光二極管芯片點(diǎn)測(cè)方法

標(biāo) 準(zhǔn) 號(hào): GB/T 36613-2018
替代情況:
發(fā)布單位: 國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局 國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)
起草單位: 三安光電股份有限公司、廈門市三安光電科技有限公司、中國(guó)電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院
發(fā)布日期: 2018-09-17
實(shí)施日期: 2019-01-01
點(diǎn) 擊 數(shù):
更新日期: 2018年12月11日
內(nèi)容摘要

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了發(fā)光二極管芯片光參數(shù)、直流電參數(shù)以及靜電放電敏感性的點(diǎn)測(cè)條件和點(diǎn)測(cè)方法。
本標(biāo)準(zhǔn)適用于批量生產(chǎn)的可見光發(fā)光二極管正裝芯片和薄膜芯片的檢測(cè)方法。紫外光、紅外光發(fā)光二極管芯片以及外延片的點(diǎn)測(cè)也可參照使用。
本標(biāo)準(zhǔn)不適用于發(fā)光二極管芯片的熱參數(shù)和交流特性測(cè)試。

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