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低位錯密度砷化鎵拋光片蝕坑密度的測量方法

標 準 號： SJ/T 11490-2015
替代情況：
發(fā)布單位： 中華人民共和國工業(yè)和信息化部
起草單位： 工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院
發(fā)布日期： 2015-04-30
實施日期： 2015-10-01
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更新日期： 2018年11月21日
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本標準規(guī)定了低位錯密度砷化鎵（GaAs）拋光片腐蝕坑密度（EPD）的測量方法。

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