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多晶硅 痕量元素化學分析 輝光放電質譜法

標 準 號: GB/T 33236-2016
替代情況:
發(fā)布單位: 中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局 中國國家標準化管理委員會
起草單位: 中國科學院上海硅酸鹽研究所
發(fā)布日期: 2016-12-13
實施日期: 2017-11-01
點 擊 數(shù):
更新日期: 2017年05月03日
內容摘要

本標準規(guī)定了采用輝光放電質譜(GD?MS)法測量多晶硅中雜質元素的測試方法。?本標準適用于多晶硅材料中除氫和惰性氣體元素以外的其他雜質元素含量的測定,測量范圍是本方法的檢出限至0.1%(質量分數(shù)),檢出限根據(jù)所用儀器及測量條件確定。通過合適的標準樣品校正,也可以測量質量分數(shù)大于0.1%的雜質元素含量。單晶硅材料中痕量雜質元素也可參照本標準測量。

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