GB/T 4937的本部分對已封裝的半導體集成電路和半導體分立器件進行60?Co γ射線源電離輻射總劑量試驗提供了一種試驗程序。本部分提供了評估低劑量率電離輻射對器件作用的加速退火試驗方法。這種退火試驗對低劑量率輻射或者器件在某些應用情況下表現(xiàn)出時變效應的應用情形是比較重要的。
本部分僅適用于穩(wěn)態(tài)輻照，并不適用于脈沖型輻照。
本部分主要針對軍事或空間相關的應用。
本試驗可能會導致輻照器件的電性能產(chǎn)生嚴重退化，因而被認為是破壞性試驗。