4.2.3
電危害4.2.3.1危險分析
多晶硅生產屬高耗能裝置,裝置內電解水、三氯氫硅還原等過程中,使用到大量的電氣設備。電氣危害電氣傷害具有突然、危險性大的特點,容易造成惡性事故。電氣設備危險除自身故障引起的觸電、漏電、短路等事故危及人體安全外,在某些情況下還會引發(fā)其它重大危險事故(如火災、爆炸等) 。作業(yè)環(huán)境中的局部照明防爆設計、電擊防護設計應與作業(yè)場所危險程度相適應,并應將生產環(huán)境中有爆炸、高溫、腐蝕特點的場所視為重點控制部位。生產環(huán)境中具有腐蝕性化學品,電氣裝置應采取防腐蝕設計。電氣傷害主要涉及供配電、電氣設備和電氣防護裝置、措施等方面。如果電氣線路或電氣設備在設計、安裝上存在缺陷,或在運行中,缺乏必要的檢修維護,使設備或線路存在漏電、過熱、短路、接頭松脫、斷線碰殼、絕緣老化等隱患;未采取必要的安全技術措施(如保護接零、漏電保護、安全電壓、等電位聯(lián)結等) ,或安全措施失效;帶負荷拉開裸露的閘刀開關；誤操作引起短路;專業(yè)電工或機電設備操作人員的操作失誤,或違章作業(yè)等。造成人員觸電傷亡和電弧灼傷。
4.2.3.2危險危害主要存在崗位
電傷害的主要方式有：電流傷害、電氣火災、電路故障、靜電危害。存在上述危害的崗位主要是：氫氣制備、氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、還原氣分離、四氯化硅氫化、硅芯制備、產品整理、廢氣廢液處理、冷凍站、空壓站。
4.2.4化學腐蝕
硫酸、氫氟酸、硝酸、氫氧化鈉、氫氣、氧等具有強腐蝕性，在一定溫度濃度下對設備、管道腐蝕加快。氫對設備鋼材腐蝕形成“氫脆”現(xiàn)象。另外氯化氫遇水會形成酸性化合物對設備造成一定的腐蝕。
以上物料泄漏后，會對操作人員造成一定的腐蝕傷害。
存在腐蝕危害的崗位有：氫氣制備、氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、還原氣分離、四氯化硅氫化、氯硅烷儲存、硅芯制備、產品整理、廢氣廢液處理。
4.2.5化學灼傷
本項目中的硝酸、氫氟酸、鹽酸、硫酸、生石灰、燒堿、氟化氫、氯化氫、三氯氫硅、四氯化硅、二氯二氫硅等物質具有腐蝕性，如貯存設備、輸送管道泄漏、操作時防護不夠、違章作業(yè)等原因均會對人員造成化學灼傷。液氮、液氬還會對人員造成低溫灼傷。
存在化學灼傷的崗位有：氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、還原氣分離、四氯化硅氫化、氯硅烷儲存、硅芯制備、產品整理、廢氣廢液處理。
4.2.6 高溫燙傷
本項目中四氯化硅氫化，三氯氫硅加熱器、氯化氫加熱器、硅粉加熱器、氫氣加熱器的反應溫度均在550℃左右，三氯氫硅還原溫度為1050～1100℃。還有氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原等崗位蒸汽管網中的高溫蒸汽。因此，本項目中許多設備、管道、物料都處于高溫狀態(tài)，人員一旦接觸到高溫物料和設備或是高溫物料設備及管線泄漏除造成爆炸、火災事故外還會造成操作人員的灼燙傷害。
存在高溫燙傷的崗位有：氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、四氯化硅氫化、還原氣分離、廢氣廢液處理。
4.2.7低溫凍傷
制氮崗位的液氮儲罐一般溫度在-190℃左右，如發(fā)生設備故障或操作不良，會對作業(yè)人員造成低溫傷害。冷凍站的致冷設備、生產中冷凝器及其管道均有可能因保冷層破損、設備管道的泄漏、作業(yè)人員無防護措施而發(fā)生凍傷危害。
存在低溫凍傷的崗位有：冷凍站、空壓站。
4.2.8起重傷害
三氯氫硅還原、還原氣分離、四氯化硅氫化、氫氣制備、循環(huán)水站等崗位安裝有行車、電動葫蘆等起重設備，檢修中還使用移動式起重設備。如這些起重設備在起重作業(yè)中，脫鉤砸人，移動吊物撞人，鋼絲繩斷裂，安裝或使用過程中傾覆事故以及起重設備本身有缺陷等，均存在起重傷害的可能。
發(fā)生在起重機械作業(yè)中的傷害事故有技術和設備原因，但主要還是管理原因，主要包括以下方面：
安全管理規(guī)章制度不健全，不落實；
對起重機械作業(yè)有關人員缺乏安全教育，無證操作；
管理不嚴格，違章作業(yè)現(xiàn)象屢禁不止；
維修保養(yǎng)不及時，帶病運行現(xiàn)象；
對起重機械的設計、制造、使用、維修等缺乏系統(tǒng)安全管理；
防護距離不足；
無關人員進入作業(yè)區(qū)域。
存在上述危害的崗位主要有：氫氣制備、氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、還原氣分離、四氯化硅氫化。
4.2.9機械傷害
我公司的運轉設備主要有壓縮機、空壓機、各種機泵以及起重設備等。如生產和檢維修時操作不當、轉動部分無防護罩、違章作業(yè)、備品備件質量差、個人防護不夠等原因，均容易造成機械傷害事故。部分設備由于項目建設的原因距離較小，在作業(yè)人員操作時會造成機械傷害。
存在該危險的崗位主要有：氫氣制備、氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、還原氣分離、四氯化硅氫化、氯硅烷儲存、硅芯制備、產品整理、廢氣廢液處理、冷凍站、空壓站、循環(huán)水站。
4.2.10高處墜落
氯硅烷分離提純精餾塔高27m，四氯化硅氫化塔區(qū)高25m左右，在高大設備的平臺等處存在高處墜落的潛在危險，如在巡回檢查中失足、檢修設備時防護不當、喑井無蓋、護欄、扶梯損壞、氣候惡劣、照明不足等原因均容易造成高處墜落事故。
高空作業(yè)安全措施不到位、安全防護用具損壞、失靈等會造成高處墜落事故。
存在高處墜落的崗位主要是：氯硅烷分離提純、三氯氫硅還原、四氯化硅氫化、廢氣廢液處理、管廊。
4.2.11噪聲危害
本項目中的氫壓縮機、冷凍壓縮機、羅茨風機、引風機、壓濾機、物料泵、循環(huán)水泵站、空壓站、氮氣站。上述設備在運轉過程中產生的dB都在85以上，如生產現(xiàn)場無隔震、減震措施、未配備個人防護用品，由于機械的撞擊、摩擦、轉動而引起的機械噪聲等，長時間接觸能使人頭痛、頭暈、易疲勞，神經衰弱，對心血管與消化系統(tǒng)產生危害，使失誤率上升，甚至導致事故發(fā)生。
存在噪聲危害的崗位有：循環(huán)水站、冷凍站、空壓站、還原氣分離、三氯氫硅還原。
4.2.12粉塵危害
本項目生產中粉塵危害主要存在于硅粉的輸送及加料、產品整理崗位。
粉塵危害表現(xiàn)為對人體的危害、對生產的危害和對環(huán)境的危害三個方面。對人體的危害為在生產過程中，有塵作業(yè)工人長時間吸入粉塵，能引起肺部組織纖維化病變、硬化，喪失正常的呼吸功能，導致塵肺病，塵肺病是無法痊愈的職業(yè)??；此外，部分粉塵還可以引發(fā)其他疾病，如造成刺激性疾病（瀝青煙塵、石灰、皮毛引起的皮炎），急性中毒（如鉛煙、錳塵等），致癌率增高（如石棉、放射性物質粉塵）。對生產的危害表現(xiàn)為對產品的質量、精度的影響，增加設備轉動部件的磨損，造成材料的消耗等。
硅粉存儲間及投料間由于通風不暢或通風設施損壞會使得粉塵濃度超標對作業(yè)人員造成粉塵引發(fā)，長時間接觸高濃度粉塵會引發(fā)塵肺病。
產品整理在作業(yè)過程中會產生矽塵，通風設施不暢或勞動保護用品佩戴不齊全，會引發(fā)矽肺病。
存在粉塵危害的場所：四氯化硅氫化、產品整理。
4.2.13車輛傷害
運輸車輛在廠內行駛過程中與人體接觸，可發(fā)生撞、擠等傷害。
造成廠內機動車輛的危險因素主要有：道路的布置不合理；道口沒有設置警示燈、警示牌等；駕駛人員不按操作規(guī)程操作；廠內機動車輛沒有由技術監(jiān)督部門進行定期強制性檢驗、沒有進行登記造冊、無證人員駕駛等。
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